參數(shù)資料
型號(hào)： STD40NE03L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL 30V - 0.012 ohm - 40A TO-252 STripFET POWER MOSFET
中文描述： ? -通道30V的- 0.012歐姆- 40A至- 252 STripFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大小： 86K
代理商： STD40NE03L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Delay Time
Rise Time
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, see fig. 3)
V
DD
= 24 V I
D
= 64 A V
GS
= 5 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 5 V
38
260
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
35
18
13
45
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(off)
t
f
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, see fig. 3)
V
DD
= 24 V
R
G
= 4.7
(Inductive Load, see fig. 5)
I
D
= 30 A
V
GS
= 5 V
75
50
ns
ns
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
I
D
= 64 A
V
GS
= 5 V
35
120
175
ns
ns
ns
SOURCE DRAINDIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
40
160
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 40 A
I
SD
= 64 A
V
DD
= 15 V
(see test circuit, fig. 5)
V
GS
= 0
1.5
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
o
C
55
0.1
3.5
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse width limited by safe operating area
SafeOperating Area
Thermal Impedance
STD40NE03L
3/8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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