參數(shù)資料
型號(hào)： STD3NM50-1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 500V - 2.5ohm - 3A DPAK/IPAK Zener-Protected MDmesh⑩Power MOSFET
中文描述： N溝道500V - 2.5ohm -第3A的DPAK /像是iPak齊納⑩保護(hù)的MDmesh功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
文件大小： 471K
代理商： STD3NM50-1
STD3NM50/STD3NM50-1
6/10
Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 3:
Switching Times Test Circuit For
Resistive Load
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD3PS25 P-CHANNEL 250V - 2.1 OHM - 3A DPAK/IPAK MESH OVERLAY MOSFET
STD3PS25-1 P-CHANNEL 250V - 2.1 OHM - 3A DPAK/IPAK MESH OVERLAY MOSFET
STD40NE03L N - CHANNEL 30V - 0.012 ohm - 40A TO-252 STripFET POWER MOSFET
STD4NB25 N-Channel 250V-0.95Ω-4A-DPAK PowerMESH MOSFET(N溝道MOSFET)
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD3NM50T4 功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD3NM60 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N D-PAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Channel 600V 3A DPAK
STD3NM60-1 功能描述:MOSFET N-Ch, 600V-1.3ohms Mdmesh 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD3NM60N 功能描述:MOSFET N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD3NM60T4 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 3 Amp Power MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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