參數(shù)資料
型號： STD35NF3LL-1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 30V - 0.014 ohm - 35A IPAK/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
中文描述： N溝道30V的- 0.014歐姆- 35A條，像是iPak / DPAK封裝STripFET⑩二功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/10頁
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代理商： STD35NF3LL-1
3/10
STD35NF3LL/STD35NF3LL-1
SWITCHING ON
SWITCHING OFF
SOURCE DRAIN DIODE
(*)
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
(
)
Pulse width limited by safe operating area.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Delay Time
Rise Time
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 17.5 A
V
GS
= 4.5 V
17
100
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 24 V I
D
= 35 A V
GS
= 5V
12.5
4.2
5.2
17
nC
nC
nC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(off)
t
f
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 17.5 A
V
GS
= 4.5 V
20
21
ns
ns
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current (pulsed)
35
140
A
A
V
SD
(*)
Forward On Voltage
I
SD
= 35 A
V
GS
= 0
1.3
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
= 35 A
V
DD
= 15 V
(see test circuit, Figure 5)
di/dt = 100A/μs
T
j
= 150°C
35
44
2.5
ns
nC
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
Safe Operating Area
Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD35NF3LL N-CHANNEL 30V - 0.014 ohm - 35A IPAK/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
STD3N30L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STD3N30 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STD3NB50-1 ***** BITTE 4969170 VERWENDEN*****
STD3NB50 N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 3A - IPAK/DPAK PowerMESH MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD35NF3LLT4 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 35 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD35P6LLF6 功能描述:MOSFET P-CH 60V 35A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:35A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 17.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:30nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3780pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STD360BLK 功能描述:LED 安裝硬件 .2" DIA X .36" BLACK RoHS:否 制造商:Bivar 產(chǎn)品:LED Mounting Clips LED 大小:5 mm 材料:Nylon 顏色:Black 主體長度:4.4 mm 面板厚度尺寸: 封裝:Bulk
STD360BLK-PK10 制造商:Visual Communications Company (VCC) 功能描述:Standoff
STD360BLK-PK1000 制造商:Visual Communications Company (VCC) 功能描述:Standoff
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