- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄382557 > STD30NE06LT4 (意法半導體) TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-252AA PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | STD30NE06LT4 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-252AA |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 30A條（?。﹟對252AA |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 86K |
| 代理商： | STD30NE06LT4 |
NormalizedGate ThresholdVoltage vs
Temperature
Source-drainDiode Forward Characteristics
NormalizedOn Resistancevs Temperature
STD30NE06L
5/8
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STD30PF03L-1 | PC 5C 5#20 PIN RECP |
| STD30PF03L | P-CHANNEL 30V - 0.025ohm - 24A DPAK/IPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET |
| STD35NF3LL-1 | N-CHANNEL 30V - 0.014 ohm - 35A IPAK/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET |
| STD35NF3LL | N-CHANNEL 30V - 0.014 ohm - 35A IPAK/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET |
| STD3N30L | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STD30NE06T4 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STD30NF03L | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 30V - 0.020 ohm - 30A DPAK STripFET POWER MOSFET |
| STD30NF03L_07 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 30V - 0.020ohm - 30A - DPAK/IPAK STripFET TM II Power MOSFET |
| STD30NF03L-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-251AA |
| STD30NF03LT | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 30V - 0.017ohm - 30A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET |
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