參數(shù)資料
型號(hào)： STD19NE06T4
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-252AA
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 19A條（?。﹟對(duì)252AA
文件頁(yè)數(shù)： 1/9頁(yè)
文件大?。?/td> 92K
代理商： STD19NE06T4
1/9
March 2002
.
STD19NE06
N-CHANNEL 60V - 0.042
- 19A IPAK/DPAK
STripFET
POWER MOSFET
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.042
I
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
175
o
C OPERATING TEMPERATURE
I
THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER
PACKAGE IN TUBE (SUFFIX “-1”)
I
SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL
(SUFFIX “T4”)
DESCRIPTION
This Power MOSFET is the latest development of
STMicroelectronis unique ”Single Feature Size
” strip-
based process. The resulting transistor shows extremely
high packing density for low on-resistance, rugged
avalanche characteristics and less critical alignment
steps
therefore
a
remarkable
reproducibility.
manufacturing
APPLICATIONS
I
DC MOTOR CONTROL
I
DC-DC & DC-AC CONVERTERS
I
SYNCHRONOUS RECTIFICATION
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STD19NE06
60 V
<0.050
19 A
3
2
1
1
3
IPAK
TO-251
(Suffix “-1”)
DPAK
TO-252
(Suffix “T4”)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D
Drain Current (continuous) at T
C
= 25
°
C
I
D
Drain Current (continuous) at T
C
= 100
°
C
I
DM
(
)
Drain Current (pulsed)
P
tot
Total Dissipation at T
C
= 25
°
C
Derating Factor
E
AS(1)
Single Pulse Avalanche Energy
T
stg
Storage Temperature
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
)
Pulse width limitedby safe operating area
(1) Starting T
j
= 25
o
C, I
D
= 30A, V
DD
= 30 V
Parameter
Value
60
60
±
20
19
13.5
76
70
0.46
1.45
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W/
°
C
mJ
-55 to 175
°
C
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD19NE06 N-CHANNEL 60V - 0.042 W - 19A IPAK/DPAK STripFET POWER MOSFET
STD1NA60-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-251
STD1NA60T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-252AA
STD1NC70ZT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 700V V(BR)DSS | 1.4A I(D) | TO-252AA
STD25NF10T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-252AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD1HN60K3 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-ch,600V,6.4Ohm,1.2 A,DPAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-Ch 600V 6.4Ohm 1.2A SuperMESH3 FET
STD1HNC60 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 4ohm - 2A - IPAK/DPAK PowerMesh⑩II MOSFET
STD1HNC60-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V 4 OHM 2A DPAK/IPAK POWERMESH II MOSFET
STD1HNC60T4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2A DPAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:PowerMESH™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
STD1LNC60 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 12ohm - 1A - IPAK/DPAK PowerMESH⑩II MOSFET
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