參數(shù)資料
型號(hào)： STD1805T4
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： LOW VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
中文描述： 低壓快速開關(guān)NPN電源晶體管
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 237K
代理商： STD1805T4
THERMAL DATA
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-case Max
8.33
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
Collector-Base
Breakdown Voltage
(I
E
= 0)
V
(BR)CEO
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
(I
B
= 0)
V
(BR)EBO
Emitter-Base
Breakdown Voltage
(I
C
= 0)
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CB
= 40 V
0.1
μ
A
I
EBO
V
EB
= 4 V
0.1
μ
A
V
(BR)CBO
I
C
= 100
μ
A
150
V
I
C
= 1 mA
60
V
I
E
= 100
μ
A
7
V
I
C
= 100 mA I
B
= 5 mA
I
C
= 2 A I
B
= 50 mA
I
C
= 3 A I
B
= 150 mA
I
C
= 5 A I
B
= 200 mA
150
200
50
300
400
600
mV
mV
mV
mV
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
DC Current Gain
I
C
= 2 A I
B
= 100 mA
0.9
1.2
V
h
FE
I
C
= 100 mA V
CE
= 2 V
I
C
= 5 A V
CE
= 2 V
I
C
= 10 A V
CE
= 2 V
200
85
20
400
f
T
Transition frequency
V
CE
= 10 V I
C
= 50 mA
150
MHz
C
CBO
Collector-Base
Capacitance
RESISTIVE LOAD
Turn- on Time
Storage Time
Fall Time
V
CB
= 10 V f = 1 MHz
50
pF
t
ON
t
s
t
f
I
C
= 1 A V
CC
= 30 V
I
B1
= - I
B2
= 0.1 A
50
1.35
120
ns
μ
s
ns
* Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle = 1.5 %
STD1805
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PDF描述
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