參數(shù)資料
型號(hào): STD17N05LT4
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-252AA
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 50V五(巴西)直| 17A條(?。﹟對(duì)252AA
文件頁(yè)數(shù): 7/10頁(yè)
文件大?。?/td> 180K
代理商: STD17N05LT4
Fig. 4:
Gate Charge Test Circuit
Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
Fig. 3:
Switching Times Test Circuits For
Resistive Load
STD17N05/STD17N06
7/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD17N05T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-252
STD17N06-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-251
STD17N06L-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-251AA
STD17N06LT4 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
STD17N06T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-252
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD17N05T4 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-252
STD17N06 功能描述:MOSFET REORD 511-STD16NE06 TO-251 N-CH 60V 17A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD17N06-1 功能描述:MOSFET DISC BY STM 4/01 TO-251 N-CH 60V 17A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD17N06L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
STD17N06L-1 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-251AA