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參數(shù)資料
| 型號： | STD13007F |
| 廠商： | AUK Corp |
| 英文描述： | NPN Silicon Power Transistor |
| 中文描述： | NPN硅功率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 310K |
| 代理商： | STD13007F |
KST-H035-000
2
STD13007F
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-Base voltage
VCBO
700
V
Collector-Emitter voltage
VCEO
400
V
Emitter-base voltage
VEBO
9
V
Collector current (DC)
IC
8
A
Collector current (Pulse)
ICM
16
A
Base current (DC)
IB
4
A
Collector Power dissipation (Tc=25℃)
PC
40
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
-55~150
°C
Electrical Characteristics
(Ta=25
°C)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min. Typ. Max.
Unit
Collector-Emitter sustaining voltage
BVCEO(sus) IC=10mA, IB=0
400
-
V
Emitter cut-off current
IEBO
VEB=9V, IC=0
-
1
mA
IC=2A, VCE=5V
8
-
60
DC Current gain
hFE*
IC=5A, VCE=5V
5
-
30
IC=2A, IB=0.4A
-
1
IC=5A, IB=1A
-
2
Collector-Emitter saturation voltage
VCE(sat)*
IC=8A, IB=2A
-
3
V
IC=2A, IB=0.4A
-
1.2
Base-Emitter saturation voltage
VBE(sat)*
IC=5A, IB=1A
-
1.6
V
Transition frequency
fT
VCE=10V, IC=0.5A, f=1MHz
-
14
-
MHz
Output capacitance
Cob
VCB=10V, IE=0, f=0.1MHz
-
80
-
Turn on Time
ton
-
1.6
Storage Time
tstg
-
3
Fall Time
tf
VCC=125V, IC=5A
IB1=-IB2=1A
-
0.7
* Pulse test: PW≤300 , Duty cycle≤2%.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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