參數(shù)資料
型號(hào)： STD12N06LT4
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-252
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 12A條（丁）|至252
文件頁(yè)數(shù)： 1/10頁(yè)
文件大小： 177K
代理商： STD12N06LT4
STD12N05
STD12N06
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOS TRANSISTOR
I
TYPICAL R
DS(on)
= 0.1
I
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100
o
C
I
LOW GATE CHARGE
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
175
o
C OPERATING TEMPERATURE
I
APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
I
THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER
PACKAGE IN TUBE (SUFFIX ”-1”)
I
SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL
(SUFFIX ”T4”)
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
SOLENOID AND RELAY DRIVERS
I
REGULATORS
I
DC-DC & DC-AC CONVERTERS
I
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
I
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
December 1996
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
< 0.15
< 0.15
I
D
STD12N05
50 V
12 A
STD12N06
60 V
12 A
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
STD12N05
STD12N06
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
50
60
V
V
DGR
50
60
V
V
GS
±
20
12
V
I
D
A
I
D
8
A
I
DM
(
)
P
tot
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
48
A
45
W
Derating Factor
0.3
W/
o
C
o
C
o
C
T
stg
Storage Temperature
-65 to 175
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulsewidth limited by safe operating area
175
1
3
2
IPAK
TO-251
(Suffix ”-1”)
1
3
DPAK
TO-252
(Suffix ”T4”)
1/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD12N06T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-252
STD12NE06L-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-251AA
STD12NE06LT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-252AA
STD12NF06-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-251AA
STD12NF06L-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-251AA
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參數(shù)描述
STD12N06T4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-252
STD12N10L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 100V - 0.12 ohm - 12A TO-252 LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
STD12N10T4G 功能描述:MOSFET N-CH SPCL 100V DPAK RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
STD12N50DM2 功能描述:N-CHANNEL 500 V, 0.35 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:350 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:628pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STD12N50M2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 10A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:380 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:550pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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