| 型號(hào): | STB8NM60D |
| 廠商: | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述: | N-CHANNEL 600V - 0.9ヘ - 8A - TO-220/D2PAK Fast Diode MDmesh⑩ Power MOSFET |
| 中文描述: | N溝道600V的- 0.9ヘ- 8A條- TO-220/D2PAK⑩快速二極管的MDmesh功率MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/13頁(yè) |
| 文件大小: | 720K |
| 代理商: | STB8NM60D |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| STB9NK50ZT4 | N-CHANNEL 500V 0.72 OHM TO-220/TO-220FP/D2PAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET |
| STC03DE150 | HYBRID EMITTER SWITCHED BIPOLAR TRANSISTOR ESBT 1500 V - 3 A - 0.55 ohm |
| STC03DE170 | HYBRID EMITTER SWITCHED BIPOLAR TRANSISTOR ESBT 1700 V - 3 A - 0.55 Ohm |
| STC03DE170HP | Hybrid emitter switched bipolar transistor ESBT 1700V - 3A - 0.55OHM |
| STC03DE170HV_06 | Hybrid emitter switched bipolar transistor ESBT 1700V - 3A - 0.55 OHM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| STB8NM60N | 功能描述:MOSFET N-ch 600 Volts 7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STB8NM60T4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 650 Volt 5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STB8NS25 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A D2PAK MESH OVERLAY⑩ MOSFET |
| STB8NS25T4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-263AB |
| STB90NF03 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 30V - 0.0065 ohm - 95A DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET |