參數(shù)資料
型號(hào): STB80NE06-10T4
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五(巴西)直| 80A條(丁)|對(duì)263AB
文件頁(yè)數(shù): 4/8頁(yè)
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代理商: STB80NE06-10T4
Output Characteristics
Transconductance
GateCharge vs Gate-sourceVoltage
Transfer Characteristics
Static Drain-source On Resistance
CapacitanceVariations
STB80NE06-10
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB80NE06-10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
STB8NC50 N-CHANNEL 500V - 0.7ohm - 8A D2PAK PowerMesh⑩II MOSFET
STB8NC70ZT4 N-CHANNEL 700V 0.90 OHM 6.8A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFET
STB8NC70Z-1 N-CHANNEL 700V - 0.90ohm - 6.8A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STB9NK60ZFP N-CHANNEL 600V - 0.85ohm - 7A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB80NF03L-04 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 80 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB80NF03L-04-1 功能描述:MOSFET N-Ch, 30V-0.0035ohms 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB80NF03L-04T4 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 80 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB80NF03L-04T4_09 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 30 V, 0.0035 Ω, 80 A D2PAK STripFET? II Power MOSFET
STB80NF04 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-CHANNEL 40V - 0.008 OHM - 80A D2PAK/TO-220 STRIPFET II POWER MOSFET