參數(shù)資料
型號： STB7NC80Z-1
廠商： 意法半導體
英文描述： New Generation Twisted Paired Multiconductor Audio Cable; Number of Conductors:4; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:7 x 30; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Shielding Material:Aluminum Foil/Polyester Tape
中文描述： N溝道800V的- 1.3ohm - 6.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK齊保護的PowerMESH⑩三MOSFET的
文件頁數(shù)： 10/13頁
文件大小： 542K
代理商： STB7NC80Z-1
STP7NC80Z - STP7NC80ZFP - STB7NC80Z - STB7NC80Z-1
10/13
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.4
4.6
0.173
0.181
A1
2.49
2.69
0.098
0.106
B
0.7
0.93
0.027
0.036
B2
1.14
1.7
0.044
0.067
C
0.45
0.6
0.017
0.023
C2
1.23
1.36
0.048
0.053
D
8.95
9.35
0.352
0.368
e
2.4
2.7
0.094
0.106
E
10
10.4
0.393
0.409
L
13.1
13.6
0.515
0.531
L1
3.48
3.78
0.137
0.149
L2
1.27
1.4
0.050
0.055
L
L1
B
B
D
E
A
C
C
A
L2
e
P011P5/E
TO-262 (I
2
PAK) MECHANICAL DATA
相關PDF資料
PDF描述
STB80NE03L-06-1 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Solder; Body Material:Aluminum; Series:PC01; No. of Contacts:6; Connector Shell Size:10; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Cable Receptacle; Body Style:Straight
STB80NE06-10T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB
STB80NE06-10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
STB8NC50 N-CHANNEL 500V - 0.7ohm - 8A D2PAK PowerMesh⑩II MOSFET
STB8NC70ZT4 N-CHANNEL 700V 0.90 OHM 6.8A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STB7NC80ZT4 功能描述:MOSFET TO-263 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB7NK80Z 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Channel 800V 5.2A D2PAK
STB7NK80Z-1 功能描述:MOSFET N-Ch, 800V-1.5ohms Zener SuperMESH 5.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB7NK80ZT4 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 5.2A Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB80N20M5 功能描述:MOSFET N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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