參數(shù)資料
型號(hào)： STB60NE06-16
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
中文描述： ? -通道增強(qiáng)型單特征尺寸功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大小： 115K
代理商： STB60NE06-16
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 30 V
R
G
=4.7
V
DD
= 48 V
R
G
= 47
V
DD
= 48 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
I
D
= 60 A
V
GS
=10 V
I
D
= 60 A
40
125
60
180
ns
ns
(di/dt)
on
Turn-on Current Slope
280
A/
μ
s
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
GS
= 10 V
115
25
40
160
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 48 V
R
G
=4.7
I
D
= 60 A
V
GS
= 10 V
15
150
180
25
210
260
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
60
240
A
A
V
SD
(
)
I
SD
= 60 A
V
GS
= 0
1.5
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 60 A
V
DD
= 30 V
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
C
100
0.4
8
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration =300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse widthlimited by safe operating area
Safe OperatingArea
Thermal Impedance
STB60NE06-16
3/9
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