參數(shù)資料
型號： STB60N03L-10
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： PC 3C 38#16 PIN RECP
中文描述： ? -通道增強(qiáng)型功率MOS器件
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 87K
代理商： STB60N03L-10
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
(di/dt)
on
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 15 V I
D
= 38 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 5 V
V
DD
= I
D
=
R
G
=
V
GS
= V
V
DD
= 10 V I
D
= 60 A V
GS
= 15 V
40
400
ns
ns
A/
μ
s
Turn-on Current Slope
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
130
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 24 V I
D
= 75 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 5 V
(see test circuit, figure 5)
60
240
310
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
60
240
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 60 A V
GS
= 0
I
SD
= 75 A di/dt = 10 A/
μ
s
V
DD
= 0 V T
j
= 150
C
1.5
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
100
0.25
5
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse width limited by safe operating area
STB60N03L-10
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PDF描述
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參數(shù)描述
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