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參數(shù)資料
| 型號： | STB4NB50 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-Channel 500V-2.5Ω-3.8A-D2PAK/I2PAK PowerMESH MOSFET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道MOSFET的500V-2.5Ω-3.8A-D2PAK/I2PAKPowerMESH（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 63K |
| 代理商： | STB4NB50 |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 250 V I
D
= 1.9 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
11
8
17
12
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 400 V I
D
= 3.8 A V
GS
= 10 V
14.5
6.5
5
22
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 400 V I
D
= 3.8 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
8
5
14
12
9
20
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
3.8
15.2
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 5.8 A V
GS
= 0
1.6
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 3.8 A di/dt = 100 A/
μ
s
V
DD
= 100 V T
j
= 150
o
C
245
980
8
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse width limited by safe operating area
STB4NB50
3/8
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB4NB80FP | N - CHANNEL 800V - 3ohm - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMESHO MOSFET |
| STB4NB80 | N-Channel 800V-3Ω-4A- TO-220/TO-220FP PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET) |
| STB4NC50 | N-CHANNEL 500V - 2.2ohm - 4A D2PAK PowerMesh⑩II MOSFET |
| STB4NC60 | INTEGRATED EC000 MPU |
| STB4NC60-1 | INTEGRATED EC000 MPU |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STB4NB50-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | TO-262AA |
| STB4NB50T4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | TO-263AB |
| STB4NB80 | 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STB4NB80-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-262AA |
| STB4NB80FP | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 800V - 3ohm - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMESHO MOSFET |
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