參數資料
型號: STB22NE03L
廠商: 意法半導體
英文描述: N - CHANNEL 30V - 0.034ohm - 22A TO-263 STripFET] POWER MOSFET
中文描述: ? -通道30V的- 0.034ohm - 22A條,263 STripFET]功率MOSFET
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代理商: STB22NE03L
Fig. 1:
UnclampedInductiveLoad Test Circuit
Fig. 3:
Switching Times Test CircuitsFor
ResistiveLoad
Fig. 2:
UnclampedInductiveWaveform
Fig. 4:
Gate Chargetest Circuit
Fig. 5:
Test Circuit For InductiveLoad Switching
And Diode Recovery Times
STB22NE03L
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相關PDF資料
PDF描述
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STB40NE03L-20 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ” SINGLE FEATURE SIZE ” POWER MOSFET
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STB4NB80 N-Channel 800V-3Ω-4A- TO-220/TO-220FP PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET)
相關代理商/技術參數
參數描述
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STB22NM50-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 0.16ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET
STB22NM60 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 0.19 ohm - 22A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 MDmesh⑩Power MOSFET
STB22NM60-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 0.19 ohm - 22A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 MDmesh⑩Power MOSFET
STB22NM60N 功能描述:MOSFET N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube