參數(shù)資料
型號： STB210NF02T4
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 120A I(D) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 20V的五（巴西）直| 120A條（丁）|對263AB
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代理商： STB210NF02T4
STB210NF02/-1 STP210NF02
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Thermal Resistance Rthj-a vs PCB Copper Area
Max Power Dissipation vs PCB Copper Area
Allowable Iav vs. Time in Avalanche
The previous curve gives thesafe operating area for unclamped inductive loads, singlepulse or repetitive,
under the following conditions:
P
D(AVE)
= 0.5 * (1.3 * BV
DSS
* I
AV
)
E
AS(AR)
= P
D(AVE)
* t
AV
Where:
I
AV
is the Allowable Current in Avalanche
P
D(AVE)
is the Average Power Dissipation in Avalanche (Single Pulse)
t
AV
is the Time in Avalanche
To derate above 25
o
C, at fixed I
AV
, the following equation must be applied:
I
AV
= 2 * (T
jmax
- T
CASE
)/ (1.3 * BV
DSS
* Z
th
)
Where:
Z
th
= K * R
th
is the value coming from Normalized Thermal Response at fixed pulse width equal to T
AV
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB22NS25ZT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-263AB
STB3300 FUSE 100A AUTO LINK 9/16
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參數(shù)描述
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STB21N90K5 功能描述:MOSFET N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A SuperMESH 5 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB21NK50Z 功能描述:MOSFET N-ch 500 Volt 17Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB21NM50N 功能描述:MOSFET 500V 0.15Ohm 18A N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB21NM50N-1 功能描述:MOSFET N-CHANNEL MFT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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