| 型號: | STB180N55 |
| 廠商: | 意法半導體 |
| 英文描述: | N-CHANNEL 55V - 2.9m-ohm - 120A - D-2 PAK - TO-220 MDmesh-TM Low Voltage Power MOSFET |
| 中文描述: | N溝道55V的- 290歐姆- 120A條-的D - 2巴基斯坦-對220的MDmesh -商標低電壓功率MOSFET |
| 文件頁數(shù): | 1/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 168K |
| 代理商: | STB180N55 |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP180N55 | N-CHANNEL 55V - 2.9m-ohm - 120A - D-2 PAK - TO-220 MDmesh-TM Low Voltage Power MOSFET |
| STB200NF04L | N-CHANNEL 40V - 3 m ohm - 120 A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET II MOSFET |
| STB200NF04L-1 | N-CHANNEL 40V - 3 m ohm - 120 A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET II MOSFET |
| STP200NF04L | N-CHANNEL 40V - 3 m ohm - 120 A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET II MOSFET |
| STB20NE06L | N - CHANNEL 60V - 0.06ohm - 20A TO-263 STripFET] POWER MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STB180N55F3 | 功能描述:MOSFET Lo Vltg fast Swtch PNP Pwr transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STB185N10F3 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 100 V, 4.0 mΩ, 120 A, D2PAK, TO-220 STripFET? Power MOSFET |
| STB185N55 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 55V - 2.9mohm - 120A - D2PAK/TO-220 |
| STB185N55F3 | 功能描述:MOSFET N Ch 500V 0.40 11A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STB18N20 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |