參數資料
型號： STB120NF10
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 100V - 0.009 W - 120A DPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET
中文描述： N溝道100V的- 0.009糯- 120A條DPAK/TO-220 STripFET二功率MOSFET
文件頁數： 3/10頁
文件大小： 393K
代理商： STB120NF10
3/10
STB120NF10 STP120NF10
SWITCHING ON
SWITCHING OFF
SOURCE DRAIN DIODE
(*)
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
(
)
Pulse width limited by safe operating area.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Delay Time
Rise Time
V
DD
= 50 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 60 A
V
GS
= 10 V
25
90
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
=80 V I
D
=120 A V
GS
=10 V
172
32
64
233
nC
nC
nC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(off)
t
f
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 50 V
R
G
= 4.7
,
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 60 A
V
GS
= 10 V
132
68
ns
ns
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current (pulsed)
120
480
A
A
V
SD
(*)
Forward On Voltage
I
SD
= 120 A V
GS
= 0
1.3
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
= 120 A
V
DD
= 40 V
(see test circuit, Figure 5)
di/dt = 100A/μs
T
j
= 150°C
152
760
10
ns
nC
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
Safe Operating Area
Thermal Impedance
相關PDF資料
PDF描述
STP120NF10 N-CHANNEL 100V - 0.009 W - 120A DPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET
STB120NH03L N-CHANNEL 30V - 0.005 W - 60A D2PAK STripFET III POWER MOSFET FOR DC-DC CONVERSION
STB120NH03LT4 N-CHANNEL 30V - 0.005 W - 60A D2PAK STripFET III POWER MOSFET FOR DC-DC CONVERSION
STB12NK80Z-S N-CHANNEL 800V - 0.65ohm - 10.5A I2SPAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET
STB12NK80Z N-CHANNEL 800V - 0.65 OHM - 10.5A TO-220 / D2PAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
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