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參數(shù)資料
| 型號： | STB10NA40 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道增強模式快速功率MOS晶體管（不適用溝道增強模式快速功率MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 3/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 126K |
| 代理商： | STB10NA40 |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 200 V
R
G
= 47
(see test circuit, figure 3)
V
DD
= 320 V
R
G
= 47
(see test circuit, figure 5)
V
DD
= 320 V
I
D
= 5 A
V
GS
= 10 V
35
115
50
155
ns
ns
(di/dt)
on
Turn-on Current Slope
I
D
= 10 A
V
GS
= 10 V
250
A/
μ
s
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
I
D
= 10 A
V
GS
= 10 V
54
8
27
75
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 320 V
R
G
= 47
(see test circuit, figure 5)
I
D
= 10 A
V
GS
= 10 V
75
30
120
105
45
160
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
10
40
A
A
V
SD
(
)
I
SD
= 10 A
V
GS
= 0
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
C
1.6
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 10 A
V
DD
= 100 V
(see test circuit, figure 5)
470
6.5
27.5
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration =300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse widthlimitedby safe operating area
Safe Operating Area
ThermalImpedance
STB10NA40
3/10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB10NC50-1 | CAP OXI NIOB 47UF 10V 20% SMD |
| STB11NK50Z | N-CHANNEL 500V - 0.48ohm - 10A TO-220/TO-220FP/D2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
| STB120NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.009 W - 120A DPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET |
| STP120NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.009 W - 120A DPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET |
| STB120NH03L | N-CHANNEL 30V - 0.005 W - 60A D2PAK STripFET III POWER MOSFET FOR DC-DC CONVERSION |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STB10NA40-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-262VAR |
| STB10NA40T4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB |
| STB10NB20 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 200V - 0.30ohm - 10A - D2PAK PowerMESH] MOSFET |
| STB10NB20T4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB |
| STB10NB50 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 500V - 0.55ohm - 10.6A - D2PAK PowerMESH] MOSFET |
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