參數(shù)資料
型號(hào)： ST333S04PFL0P
廠商： VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類： 晶閘管
英文描述： 518 A, 400 V, SCR, TO-209AE
封裝： LEAD FREE, TO-118, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 325K
代理商： ST333S04PFL0P
www.vishay.com
For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com
Document Number: 94377
2
Revision: 30-Apr-08
ST333SP Series
Vishay High Power Products Inverter Grade Thyristors
(Stud Version), 330 A
CURRENT CARRYING CAPABILITY
FREQUENCY
UNITS
50 Hz
840
600
1280
1040
5430
4350
A
400 Hz
650
450
1280
910
2150
1560
1000 Hz
430
230
1090
730
1080
720
2500 Hz
140
60
490
250
400
190
Recovery voltage VR
50
V
Voltage before turn-on VD
VDRM
Rise of on-state current dI/dt
50
-
A/s
Case temperature
50
75
50
75
50
75
°C
Equivalent values for RC circuit
10/0.47
Ω/F
ON-STATE CONDUCTION
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
VALUES
UNITS
Maximum average on-state
current at case temperature
IT(AV)
180° conduction, half sine wave
330
A
75
°C
Maximum RMS on-state current
IT(RMS)
DC at 63 °C case temperature
518
A
Maximum peak, one half cycle,
non-repetitive surge current
ITSM
t = 10 ms
No voltage
reapplied
Sinusoidal half wave,
initial TJ = TJ maximum
11 000
t = 8.3 ms
11 520
t = 10 ms
100 % VRRM
reapplied
9250
t = 8.3 ms
9700
Maximum I2t for fusing
I2t
t = 10 ms
No voltage
reapplied
605
kA2s
t = 8.3 ms
550
t = 10 ms
100 % VRRM
reapplied
430
t = 8.3 ms
390
Maximum I2
√t for fusing
I2
√t
t = 0.1 to 10 ms, no voltage reapplied
6050
kA2
√s
Maximum peak on-state voltage
VTM
ITM = 1810 A, TJ = TJ maximum,
tp = 10 ms sine wave pulse
1.96
V
Low level value of threshold voltage
VT(TO)1
(16.7 % x
π x I
T(AV) < I < π x IT(AV)), TJ = TJ maximum
0.91
High level value of threshold voltage
VT(TO)2
(I >
π x I
T(AV)), TJ = TJ maximum
0.92
Low level value of forward slope resistance
rt1
(16.7 % x
π x I
T(AV) < I < π x IT(AV)), TJ = TJ maximum
0.58
m
Ω
High level value of forward slope resistance
rt2
(I >
π x I
T(AV)), TJ = TJ maximum
0.58
Maximum holding current
IH
TJ = 25 °C, IT > 30 A
600
mA
Typical latching current
IL
TJ = 25 °C, VA = 12 V, Ra = 6 Ω, IG = 1 A
1000
180° el
I
TM
180° el
I
TM
100 s
I
TM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ST333S04PFL1P 518 A, 400 V, SCR, TO-209AE
ST333S08PFL0P 518 A, 800 V, SCR, TO-209AE
ST333S08PFL1P 518 A, 800 V, SCR, TO-209AE
ST4159FFREQ1 CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 32 MHz - 60 MHz, TTL OUTPUT
ST4150AFREQ2 CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 60 MHz - 125 MHz, TTL OUTPUT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ST333S04PFM0 功能描述:SCR 400 Volt 330 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
ST333S04PFM1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR 518A FAST
ST333S06PFLO 制造商:n/a 功能描述:Power Semiconductor
ST333S08MFL1P 功能描述:SCR 800 Volt 330 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
ST333S08PFL0 功能描述:SCR 800 Volt 330 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
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