參數(shù)資料
型號： ST333C08CEM2LPBF
元件分類： 晶閘管
英文描述： 1435 A, 800 V, SCR, TO-200AB
封裝： METAL CASE WITH CERAMIC INSULATOR, EPUK-3
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 171K
代理商： ST333C08CEM2LPBF
ST333C..C Series
2
Bulletin I25170 rev. B 04/00
www.irf.com
Voltage
V
DRM
/V
RRM
, maximum
V
RSM
, maximum
I
DRM
/I
RRM
max.
Type number
Code
repetitive peak voltage
non-repetitive peak voltage
@ T
J
= T
J
max.
VV
mA
04
400
500
08
800
900
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Voltage Ratings
Frequency
Units
50Hz
1630
1420
2520
2260
7610
6820
400Hz
1630
1390
2670
2330
4080
3600
1000Hz
1350
1090
2440
2120
2420
2100
A
2500Hz
720
550
1450
1220
1230
1027
Recovery voltage Vr
50
Voltage before turn-on Vd
V
DRM
V
DRM
V
DRM
Rise of on-state current di/dt
50
-
A/
s
Heatsink temperature
40
55
40
55
40
55
°C
Equivalent values for RC circuit
10
/ 0.47F
10
/ 0.47F
10
/ 0.47F
I
TM
180oel
100
s
I
TM
I
TM
Current Carrying Capability
V
I
T(AV)
Max. average on-state current
720 (350)
A
180° conduction, half sine wave
@ Heatsink temperature
55 (75)
°C
double side (single side) cooled
I
T(RMS)
Max. RMS on-state current
1435
DC @ 25°C heatsink temperature double side cooled
I
TSM
Max. peak, one half cycle,
11000
t = 10ms
No voltage
non-repetitive surge current
11500
A
t = 8.3ms
reapplied
9250
t = 10ms
100% V
RRM
9700
t = 8.3ms
reapplied
Sinusoidal half wave,
I2t
Maximum I2t for fusing
605
t = 10ms
No voltage
Initial T
J = TJ max
553
t = 8.3ms
reapplied
428
t = 10ms
100% V
RRM
391
t = 8.3ms
reapplied
I2
√t
Maximum I2
√t for fusing
6050
KA2
√s
t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied
Parameter
ST333C..C
Units
Conditions
On-state Conduction
KA2s
ST333C..C
50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ST333C08CEM2PBF 1435 A, 800 V, SCR, TO-200AB
ST333C08CEM1PBF 1435 A, 800 V, SCR, TO-200AB
ST333C08CEM0LPBF 1435 A, 800 V, SCR, TO-200AB
ST333C08CEM0PBF 1435 A, 800 V, SCR, TO-200AB
ST333C08CEL3LPBF 1435 A, 800 V, SCR, TO-200AB
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參數(shù)描述
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ST333C08CFM1 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:THYRISTOR 1435A 800V TO-200AB
ST333C08CFM1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:THYRISTOR 1435A 800V TO-200AB
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