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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ST183C08CFN3P |
| 廠商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | 690 A, 800 V, SCR, TO-200AB |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, METAL, APUK-2 |
| 文件頁數(shù)： | 2/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 129K |
| 代理商： | ST183C08CFN3P |
www.vishay.com
For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com
Document Number: 94368
2
Revision: 30-Apr-08
ST183CPbF Series
Vishay High Power Products
Inverter Grade Thyristors
(Hockey PUK Version), 370 A
CURRENT CARRYING CAPABILITY
FREQUENCY
UNITS
50 Hz
770
660
1220
1160
5450
4960
A
400 Hz
730
600
1270
1090
2760
2420
1000 Hz
600
490
1210
1040
1600
1370
2500 Hz
350
270
860
730
800
680
Recovery voltage Vr
50
V
Voltage before turn-on Vd
VDRM
Rise of on-state current dI/dt
50
-
A/s
Heatsink temperature
40
55
40
55
40
55
°C
Equivalent values for RC circuit
47/0.22
Ω/F
180° el
I
TM
180° el
I
TM
100 s
I
TM
ON-STATE CONDUCTION
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
VALUES
UNITS
Maximum average on-state current
at heatsink temperature
IT(AV)
180° conduction, half sine wave
double side (single side) cooled
370 (130)
A
55 (85)
°C
Maximum RMS on-state current
IT(RMS)
DC at 25 °C heatsink temperature double side cooled
690
A
Maximum peak, one half cycle,
non-repetitive surge current
ITSM
t = 10 ms
No voltage
reapplied
Sinusoidal half wave,
initial TJ = TJ maximum
4900
t = 8.3 ms
5130
t = 10 ms
100 % VRRM
reapplied
4120
t = 8.3 ms
4310
Maximum I2t for fusing
I2t
t = 10 ms
No voltage
reapplied
120
kA2s
t = 8.3 ms
110
t = 10 ms
100 % VRRM
reapplied
85
t = 8.3 ms
78
Maximum I2
√t for fusing
I2
√t
t = 0.1 to 10 ms, no voltage reapplied
1200
kA2
√s
Maximum peak on-state voltage
VTM
ITM = 600 A, TJ = TJ maximum,
tp = 10 ms sine wave pulse
1.80
V
Low level value of threshold voltage
VT(TO)1
(16.7 % x
π x I
T(AV) < I < π x IT(AV)), TJ = TJ maximum
1.40
High level value of threshold voltage
VT(TO)2
(I >
π x I
T(AV)), TJ = TJ maximum
1.45
Low level value of forward slope resistance
rt1
(16.7 % x
π x I
T(AV) < I < π x IT(AV)), TJ = TJ maximum
0.67
m
Ω
High level value of forward slope resistance
rt2
(I >
π x I
T(AV)), TJ = TJ maximum
0.58
Maximum holding current
IH
TJ = 25 °C, IT > 30 A
600
mA
Typical latching current
IL
TJ = 25 °C, VA = 12 V, Ra = 6 Ω, IG = 1 A
1000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| ST183S04PFL1 | 功能描述:SCR 195 Amp 400 Volt 306 Amp IT(RMS) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| ST183S08PFL0 | 功能描述:SCR 800 Volt 195 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| ST183S08PFL1 | 功能描述:SCR 195 Amp 800 Volt 306 Amp IT(RMS) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
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