參數(shù)資料
型號(hào)： ST183C08CFL1LP
廠商： VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類： 晶閘管
英文描述： 690 A, 800 V, SCR, TO-200AB
封裝： ROHS COMPLIANT, METAL, APUK-2
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大小： 129K
代理商： ST183C08CFL1LP
www.vishay.com
For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com
Document Number: 94368
2
Revision: 30-Apr-08
ST183CPbF Series
Vishay High Power Products
Inverter Grade Thyristors
(Hockey PUK Version), 370 A
CURRENT CARRYING CAPABILITY
FREQUENCY
UNITS
50 Hz
770
660
1220
1160
5450
4960
A
400 Hz
730
600
1270
1090
2760
2420
1000 Hz
600
490
1210
1040
1600
1370
2500 Hz
350
270
860
730
800
680
Recovery voltage Vr
50
V
Voltage before turn-on Vd
VDRM
Rise of on-state current dI/dt
50
-
A/s
Heatsink temperature
40
55
40
55
40
55
°C
Equivalent values for RC circuit
47/0.22
Ω/F
180° el
I
TM
180° el
I
TM
100 s
I
TM
ON-STATE CONDUCTION
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
VALUES
UNITS
Maximum average on-state current
at heatsink temperature
IT(AV)
180° conduction, half sine wave
double side (single side) cooled
370 (130)
A
55 (85)
°C
Maximum RMS on-state current
IT(RMS)
DC at 25 °C heatsink temperature double side cooled
690
A
Maximum peak, one half cycle,
non-repetitive surge current
ITSM
t = 10 ms
No voltage
reapplied
Sinusoidal half wave,
initial TJ = TJ maximum
4900
t = 8.3 ms
5130
t = 10 ms
100 % VRRM
reapplied
4120
t = 8.3 ms
4310
Maximum I2t for fusing
I2t
t = 10 ms
No voltage
reapplied
120
kA2s
t = 8.3 ms
110
t = 10 ms
100 % VRRM
reapplied
85
t = 8.3 ms
78
Maximum I2
√t for fusing
I2
√t
t = 0.1 to 10 ms, no voltage reapplied
1200
kA2
√s
Maximum peak on-state voltage
VTM
ITM = 600 A, TJ = TJ maximum,
tp = 10 ms sine wave pulse
1.80
V
Low level value of threshold voltage
VT(TO)1
(16.7 % x
π x I
T(AV) < I < π x IT(AV)), TJ = TJ maximum
1.40
High level value of threshold voltage
VT(TO)2
(I >
π x I
T(AV)), TJ = TJ maximum
1.45
Low level value of forward slope resistance
rt1
(16.7 % x
π x I
T(AV) < I < π x IT(AV)), TJ = TJ maximum
0.67
m
Ω
High level value of forward slope resistance
rt2
(I >
π x I
T(AV)), TJ = TJ maximum
0.58
Maximum holding current
IH
TJ = 25 °C, IT > 30 A
600
mA
Typical latching current
IL
TJ = 25 °C, VA = 12 V, Ra = 6 Ω, IG = 1 A
1000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ST183C08CFL1P 690 A, 800 V, SCR, TO-200AB
ST183C08CFL2P 690 A, 800 V, SCR, TO-200AB
ST183C08CFL3LP 690 A, 800 V, SCR, TO-200AB
ST183C08CFL3P 690 A, 800 V, SCR, TO-200AB
ST183C08CFN0LP 690 A, 800 V, SCR, TO-200AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ST183C08CFN0 功能描述:SCR INVERTER 800V 370A A-PUK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> SCR - 單個(gè) 系列:- 其它有關(guān)文件:X00619 View All Specifications 產(chǎn)品目錄繪圖:SCR TO-92 Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- SCR 型:靈敏柵極 電壓 - 斷路:600V 電壓 - 柵極觸發(fā)器 (Vgt)（最大）:800mV 電壓 - 導(dǎo)通狀態(tài) (Vtm)（最大）:1.35V 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (AV))（最大）:500mA 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (RMS))（最大）:800mA 電流 - 柵極觸發(fā)電流 (Igt)（最大）:200µA 電流 - 維持(Ih):5mA 電流 - 斷開狀態(tài)（最大）:1µA 電流 - 非重復(fù)電涌，50、60Hz (Itsm):9A，10A 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-92-3 包裝:剪切帶 (CT) 產(chǎn)品目錄頁面:1554 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-9067-1
ST183C08CFN0 制造商:International Rectifier 功能描述:SCR Thyristor
ST183C08CFNO 制造商:n/a 功能描述:Power Semiconductor
ST183S04PFL0 功能描述:SCR 400 Volt 195 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
ST183S04PFL1 功能描述:SCR 195 Amp 400 Volt 306 Amp IT(RMS) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
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