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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SSTVA16859BKLFT |
| 廠商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/11頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC BUFFER DDR 13-26BIT 56VFQFPN |
| 產(chǎn)品變化通告： | Product Discontinuation 09/Dec/2011 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1,000 |
| 邏輯類型： | 13 位至 26 位寄存緩沖器，DDR |
| 電源電壓： | 2.3 V ~ 2.7 V |
| 位數(shù)： | 13，26 |
| 工作溫度： | 0°C ~ 70°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 56-VFQFN 裸露焊盤 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 56-VFQFP-EP（8x8） |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
ICSSSTVA16859B
1050A—01/07/05
Notes:
1. CL incluces probe and jig capacitance.
2. IDD tested with clock and data inputs held at VDDQ or GND, and IO = 0 mA.
3. All input pulses are supplied by generators having the following characteristics: PRR @10 MHz,
Zo=50
, input slew rate = 1 V/ns ±20% (unless otherwise specified).
4. The outputs are measured one at a time with one transition per measurement.
5. VTT = VREF = VDDQ/2
6. VIH = VREF + 310mV (AC voltage levels) for differential inputs. VIH = VDDQ for LVCMOS input.
7. VIL = VREF - 310mV (AC voltage levels) for differential inputs. VIL = GND for LVCMOS input.
8. tPLH and tPHL are the same as tpd
CL = 30 pF
(see Note 1)
From Output
Under Test
Load Circuit
1k
LVCMOS
RESET#
Input
LVCMOS
RESET#
Input
V
DDQ
/2
V
DDQ
/2
tinact
tact
I
(see note 2)
DD
IDDH
IDDL
10%
90%
Voltage and Current Waveforms
Inputs Active and Inactive Times
Voltage Waveforms - Propagation Delay Times
Figure 1 - Parameter Measurement Information (V
DDQ = 2.5V ±0.2V)
Voltage Waveforms - Pulse Duration
Voltage Waveforms - Setup and Hold Times
VDDQ
0V
t
w
t
S
t
h
VIH
VOH
VTT
VOH
VIH
VIL
VOL
VI(pp)
VIL
VREF
VICR
tPHL
V/2
DD
VICR
Input
Timing
Input
Timing
Input
Output
1k
Test point
VDD
ICSSSTVA16859B
DDR 13-Bit to 26-Bit Registered Buffer
TSD
IDT / ICS DDR 13-Bit to 26-Bit Registered Buffer
ICSSSTVA16859B
8
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