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參數(shù)資料
| 型號： | SSTVA16859BKLF |
| 廠商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件頁數(shù)： | 10/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC BUFFER DDR 13-26BIT 56VFQFPN |
| 產(chǎn)品變化通告： | Product Discontinuation 09/Dec/2011 |
| 標準包裝： | 260 |
| 邏輯類型： | 13 位至 26 位寄存緩沖器，DDR |
| 電源電壓： | 2.3 V ~ 2.7 V |
| 位數(shù)： | 13，26 |
| 工作溫度： | 0°C ~ 70°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 56-VFQFN 裸露焊盤 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 56-VFQFP-EP（8x8） |
| 包裝： | 托盤 |
ICSSSTVA16859B
1050A—01/07/05
Notes:
1. CL incluces probe and jig capacitance.
2. IDD tested with clock and data inputs held at VDDQ or GND, and IO = 0 mA.
3. All input pulses are supplied by generators having the following characteristics: PRR @10 MHz,
Zo=50
, input slew rate = 1 V/ns ±20% (unless otherwise specified).
4. The outputs are measured one at a time with one transition per measurement.
5. VTT = VREF = VDDQ/2
6. VIH = VREF + 310mV (AC voltage levels) for differential inputs. VIH = VDDQ for LVCMOS input.
7. VIL = VREF - 310mV (AC voltage levels) for differential inputs. VIL = GND for LVCMOS input.
8. tPLH and tPHL are the same as tpd
CL = 30 pF
(see Note 1)
From Output
Under Test
Load Circuit
1k
LVCMOS
RESET#
Input
LVCMOS
RESET#
Input
V
DDQ
/2
V
DDQ
/2
tinact
tact
I
(see note 2)
DD
IDDH
IDDL
10%
90%
Voltage and Current Waveforms
Inputs Active and Inactive Times
Voltage Waveforms - Propagation Delay Times
Figure 1 - Parameter Measurement Information (V
DDQ = 2.5V ±0.2V)
Voltage Waveforms - Pulse Duration
Voltage Waveforms - Setup and Hold Times
VDDQ
0V
t
w
t
S
t
h
VIH
VOH
VTT
VOH
VIH
VIL
VOL
VI(pp)
VIL
VREF
VICR
tPHL
V/2
DD
VICR
Input
Timing
Input
Timing
Input
Output
1k
Test point
VDD
ICSSSTVA16859B
DDR 13-Bit to 26-Bit Registered Buffer
TSD
IDT / ICS DDR 13-Bit to 26-Bit Registered Buffer
ICSSSTVA16859B
8
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MS27467P25B35SB | CONN PLUG 128POS STRAIGHT W/SCKT |
| VI-2TW-MX-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 5.5V 75W |
| D38999/24FJ43PN | CONN RCPT 43POS JAM NUT W/PINS |
| MS3122E-22-55P | CONN RECEPT 55POS W/PINS CRIMP |
| VI-2TW-MX-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 5.5V 75W |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SSTVA16859BKLFT | 功能描述:IC BUFFER DDR 13-26BIT 56VFQFPN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 邏輯 - 專用邏輯 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 25/Apr/2012 標準包裝:1,500 系列:74SSTV 邏輯類型:DDR 的寄存緩沖器 電源電壓:2.3 V ~ 2.7 V 位數(shù):14 工作溫度:0°C ~ 70°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:48-TFSOP（0.240"，6.10mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| SSTVA16859CGLF | 功能描述:寄存器 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 邏輯類型:CMOS 邏輯系列:HC 電路數(shù)量:1 最大時鐘頻率:36 MHz 傳播延遲時間: 高電平輸出電流:- 7.8 mA 低電平輸出電流:7.8 mA 電源電壓-最大:6 V 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:SOT-38 封裝:Tube |
| SSTVA16859CGLFT | 功能描述:寄存器 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 邏輯類型:CMOS 邏輯系列:HC 電路數(shù)量:1 最大時鐘頻率:36 MHz 傳播延遲時間: 高電平輸出電流:- 7.8 mA 低電平輸出電流:7.8 mA 電源電壓-最大:6 V 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:SOT-38 封裝:Tube |
| SSTVA16859CKLF | 功能描述:寄存器 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 邏輯類型:CMOS 邏輯系列:HC 電路數(shù)量:1 最大時鐘頻率:36 MHz 傳播延遲時間: 高電平輸出電流:- 7.8 mA 低電平輸出電流:7.8 mA 電源電壓-最大:6 V 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:SOT-38 封裝:Tube |
| SSTVA16859CKLF/W | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:NON-JEDEC PIN 1 ORIENTATION - Tape and Reel 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IDTSSTVA16859CKLF/W IC BUFFER 56MLF |
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