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參數(shù)資料
| 型號： | SSTA14 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 30V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|達林頓|叩| 30V的五（巴西）總裁| 500mA的一（c）| SOT - 23封裝 |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 382K |
| 代理商： | SSTA14 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST6426 | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 40V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23 |
| SST4400 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 600MA I(C) | SOT-23 |
| SST2907 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 600MA I(C) | SOT-23VAR |
| SST1139 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-23 |
| SST1130 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SSTA14T116 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SURFACE NPN DARL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| SSTA20 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23 |
| SSTA28 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| SSTA28_05 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:NPN general purpose transistor |
| SSTA28T116 | 功能描述:達林頓晶體管 NPN 80V 0.3A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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