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參數(shù)資料
| 型號： | SSR2N55 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 550V五（巴西）直|甲（?。﹟至252 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 112K |
| 代理商： | SSR2N55 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SSU2N55 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-251 |
| SSU2N60 | 3.3V 32K/64K x 16/18 Dual-Port Static RAM |
| SSU2N80A | PSoC® Mixed-Signal Array |
| SSU2N90A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 1.7A I(D) | TO-251AA |
| SSR2N60A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 1.8A I(D) | TO-252AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SSR2N60 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET |
| SSR2N60A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 1.8A I(D) | TO-252AA |
| SSR2N60B | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| SSR2N60BTF | 功能描述:MOSFET N-Ch/600V/1.8a/5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SSR2N60BTM | 功能描述:MOSFET N-Ch/600V/1.8a/5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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