參數(shù)資料
型號： SSD2008A
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | PAIR | COMPLEMENTARY | 30V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | SO
中文描述： 晶體管| MOSFET的|一對|互補(bǔ)| 30V的五（巴西）直| 3.5AI（四）|蘇
文件頁數(shù)： 6/8頁
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代理商： SSD2008A
Fig 1. Output Characteristics
Fig 2. Transfer Characteristics
Fig 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
Fig 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage
Fig 3. On-Resistance vs. Drain Current
Fig 4. Source-Drain Forward Voltage
( P-Channel )
Dual P-CHANNEL
POWER MOSFET
0
2
4
6
8
10
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
V
GS
= -4.5 V
V
GS
= -10 V
R
D
]
D
-I
D
, Drain Current [A]
5
10
15
20
25
30
0
200
400
600
800
1000
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
2
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
12
14
Vgs=-4V
Vgs=-3V
Vgs=-10,-9,-8,-7,-6,-5,V
-
D
0
1
2
3
4
5
6
7
0
2
4
6
8
10
12
14
-55
o
C
25
o
C
150
o
C
-
D
-V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0.0
0.5
-V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
1.0
1.5
2.0
2.5
10
-1
10
0
10
1
150
o
C
25
o
C
-
D
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
V
DS
= -10 V
I
D
= -3.5A
V
G
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
SSD2008A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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