參數(shù)資料
型號： SS3H9
廠商： GENERAL SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 整流器
英文描述： 3 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB
封裝： PLASTIC, SMC, 2 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
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代理商： SS3H9
SS3H9 and SS3H10
High Voltage Surface Mount
Schottky Barrier Rectifiers
Ratings and
Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)
0.3
0.1
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
0.5
Instantaneous Forward Voltage (V)
Fig. 3 – Typical Instantaneous Forward
Characteristics
0.01
0.1
1
10
100
Instantaneous
Forward
Current
(A)
TJ = 150°C
TJ = 175°C
TJ = 125°C
TJ = 100°C
TJ = 25°C
1
0.1
100
10
Reverse Voltage (V)
Fig. 5 – Typical Junction Capacitance
10
100
1000
Junction
Capacitance
(pF)
1
0.1
0.01
10
t -- Pulse Duration (sec)
Fig. 6 – Typical Transient Thermal
Impedance
10
1
0.1
100
T
ransient
Thermal
Impedance
(
°C/W)
0
3.0
4.0
50
60
70
80
90
100 110 120 130 140 150
Fig. 1 – Maximum Forward Current
Derating Curve
A
verage
Forward
Current
(A)
Lead Temperature (
°C)
2.0
1.0
1
10
100
20
10
40
60
80
100
Fig. 2 -- Maximum Non-repetitive Peak
Forward Surge Current
Peak
Forward
Surge
Current
(A)
Number of Cycles at 60 Hz
TJ = TJ max.
8.3ms single half sine-wave
(JEDEC Method)
20
60
40
100
80
Fig. 4 – Typical Reverse
Characteristics
Instantaneous
Reverse
Current,
(
A)
Percent of Rated Peak Reverse Voltage, (%)
0.01
0.001
0.1
1
10
100
1000
TJ = 25°C
TJ = 100°C
TJ = 125°C
TJ = 150°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SS3H9 3 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB
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參數(shù)描述
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