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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SQ742 |
| 廠商： | Polyfet RF Devices |
| 英文描述： | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| 中文描述： | 硅柵增強(qiáng)型射頻功率VDMOS晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 37K |
| 代理商： | SQ742 |
S1E 2 DIE ID & GM Vs VG
0.01
0.10
1.00
10.00
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
Vgs in Volts
I
Id
gM
S1E 2 DIE CAPACITANCE
0.1
1
10
100
1000
0
5
10
15
20
VDS IN VOLT S
25
30
35
40
45
50
Coss
Ciss
Crss
S Q742 F= 400MHZ, VDS = 50V, Idq= .6A
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
P I N I N W A T T S
10
11
12
13
14
15
16
17
18
Pout
Gain
Efficiency = 50%
POLYFET RF DEVICES
POUT VS PIN GRAPH
CAPACITANCE VS VOLTAGE
ID & GM VS VGS
IV CURVE
S11 & S22 SMITH CHART
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
SQ742
S1E 2 DIE IV
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VVDS IN VOLTS
I
vg=2v
Vg=4v
vg=8v
0
vg=12v
1110 Avenida Acaso, Camarillo, Ca 93012 Tel:(805) 484-4210 FAX: (805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
REVISION 03/08/2001
Tolerance .XX +/-0.01 .XXX +/-.005 inches
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SR1080 | SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| SR10A0 | SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| SR341 | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| SR401 | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| SR703 | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SQ77-05 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:Square Belt |
| SQ-8 | 制造商:Mac8 功能描述: |
| SQ8063P12NF | 制造商:Laird Technologies Inc 功能描述:OMNI,SQUINT,12IN,NF,806-866MHZ,3DBI |
| SQ82183P12NF | 功能描述:ANTENNA MULTIBAND 3.5DBI N FML RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 天線 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:* |
| SQ82183PNF | 功能描述:ANTENNA MULTIBAND 3.5DBI N FML RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 天線 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:* |
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