參數(shù)資料
型號(hào)： SPP80N06S2L-051
廠商： SIEMENS AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管（馬鞍山型功率晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 93K
代理商： SPP80N06S2L-051
2000-05-12
Page 3
SPP80N06S2L-05
SPB80N06S2L-05
Preliminary data
Electrical Characteristics
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
Values
typ.
Unit
min.
max.
Dynamic Characteristics
Transconductance
g
fs
V
DS
≥
2*
I
D
*
R
DS(on)max
,
I
D
=80A
76
152
-
S
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f
=1MHz
-
-
-
-
-
-
-
5700
1280
350
25
322
67
90
7100
1600
430
38
483
100
135
pF
V
DD
=30V,
V
GS
=4.5V,
I
D
=80A,
R
G
=1.3
ns
Gate Charge Characteristics
Gate to source charge
Gate to drain charge
Gate charge total
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=44V,
I
D
=80A
-
-
-
17
55
165
21
70
206
nC
V
DD
=44V,
I
D
=80A,
V
GS
=0 to 10V
Gate plateau voltage
V
(plateau)
V
DD
=44V,
I
D
=80A
-
3.3
-
V
Reverse Diode
Inverse diode continuous
forward current
I
S
T
C
=25°C
-
-
80
A
Inverse diode direct current,
pulsed
I
SM
-
-
320
Inverse diode forward voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V,
I
F
=80A
-
-
-
0.9
41
133
1.3
51
166
V
ns
nC
V
R
=30V,
I
F=
l
S
,
d
i
F
/d
t
=100A/μs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPB80N06S2L-05 OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
SQC6100 TERRESTRIAL RECEIVER FOR DVB - T
SRD00217O GIGATRUE 550 CAT6 PATCH 2 FT, NON BOOT,LILAC
SRD00217N Ternary PIN Photodiode in Receptacle Package
SRD00217 Ternary PIN Photodiode in Receptacle Package
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SPP80N06S2L05NK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220
SPP80N06S2L-06 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPP80N06S2L-07 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPP80N06S2L-07 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220
SPP80N06S2L07NK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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