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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SPN1026S56RG |
| 英文描述： | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | 雙N溝道增強(qiáng)型MOS管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 267K |
| 代理商： | SPN1026S56RG |
PIN DESCRIPTION
2006/12/18
Ver.2
Page 2
SPN1026
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Pin
1
2
3
4
5
6
Symbol
S1
G1
D2
S2
G2
D1
Description
Source 1
Gate 1
Drain 2
Source 2
Gate 2
Drain1
ORDERING INFORMATION
Part Number
Package
Part Marking
SPN1026S56RG
SOT-563
D
※
Week Code : A ~ Z( 1 ~ 26 ) ; a ~ z( 27 ~ 52 )
※
SPN1026S56RG : Tape Reel ; Pb – Free
ABSOULTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
=25
Unless otherwise
℃
noted)
Parameter
Symbol
Typical
Unit
Drain-Source Voltage
V
DSS
60
V
Gate –Source Voltage - Continuous
V
GSS
±20
V
Gate –Source Voltage - Non Repetitive ( t
p
< 50
μ
s)
V
GSS
±40
V
Continuous Drain Current(T
J
=150
)
℃
T
A
=25
℃
I
D
0.32
A
Pulsed Drain Current (
)
I
DM
1.0
A
Continuous Source Current(Diode Conduction)
I
S
0.25
A
Power Dissipation
T
A
=25
℃
P
D
0.30
W
Operating Junction Temperature
T
J
-55 ~ 150
℃
Storage Temperature Range
T
STG
-55 ~ 150
℃
Thermal Resistance-Junction to Ambient
R
θ
JA
375
/W
℃
(
) Pulse width limited by safe operating area
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPN1423 | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| SPN1423S32RG | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| SPN4392 | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| SPN4392S8RG | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| SPN4392S8TG | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SPN1026S56RGB | 制造商:SYNC-POWER 制造商全稱:SYNC-POWER 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| SPN-10-50PK | 制造商:Richco 功能描述:Clamp; Clips and Clamp; Black Santoprone Covered Steel; 5/8 in holding dia |
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| SPN11T10 | 制造商:SYNC-POWER 制造商全稱:SYNC-POWER 功能描述:N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| SPN11T10T251TGB | 制造商:SYNC-POWER 制造商全稱:SYNC-POWER 功能描述:N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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