參數(shù)資料
型號(hào)： SPD14N05
廠商： SIEMENS A G
元件分類： 功率晶體管
英文描述： MULTI DVI RECEIVER W/SAP-MULTIMODE -FIBER
中文描述： 14 A, 55 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 8/8頁(yè)
文件大?。?/td> 141K
代理商： SPD14N05
Semiconductor Group
8
29/Jan/1998
SPD14N05
SPU14N05
Typ. gate charge
V
GS
=
(
Q
Gate
)
parameter:
I
D puls
= 14 A
0
1
2
3
4
5
6
7
nC
9
Q
Gate
0
2
4
6
8
10
12
V
16
V
GS
DS max
V
0,8
DS max
V
0,2
Avalanche energy
E
AS
=
f
(
T
j
)
parameter:
I
D
=13.5 A,
V
DD
=25 V
R
GS
=25
, L = 571 μH
20
40
60
80
100
120
140
°C
T
j
180
0
10
20
30
40
mJ
60
E
AS
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
(
T
j
)
-60
-20
20
60
100
°C
T
j
180
49
51
53
55
57
59
61
V
65
V
(BR)DSS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPU14N05 MULTI DVI TRANSMITTER -CATX
SPD30N08S2-23 OptiMOSPower-Transistor( MOS 型功率晶體管)
SPE0522 2-Line ESD Protection Array
SPE0522S52RG 2-Line ESD Protection Array
SPE0526 5-Line ESD Protection Array
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SPD14N06S2-80 功能描述:MOSFET N-CH 55V 17A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPD15051 制造商:Carlo Gavazzi 功能描述: 制造商:Carlo Gavazzi 功能描述:15 VDC POWER SUPPLY 5W
SPD15051B 制造商:Carlo Gavazzi 功能描述: 制造商:Carlo Gavazzi 功能描述:15 VDC POWER SUPPLY 5W SPRING TERMINALS
SPD15101 制造商:Carlo Gavazzi 功能描述:AC/DC Power Supply Single-OUT 15V 0.67A 10W 5-Pin
SPD15101B 制造商:Carlo Gavazzi 功能描述:AC/DC Power Supply Single-OUT 15V 0.67A 10W 5-Pin
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