參數(shù)資料
型號(hào)： SPD07N20
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： SIPMOS Power Transistor
中文描述： SIPMOS功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大?。?/td> 120K
代理商： SPD07N20
SPD 07N20
Data Sheet
6
05.99
Typ. output characteristics
I
D
=
f
(
V
DS
)
parameter:
t
p
= 80 μs
SPD07N20
P
tot
= 40W
0
2
4
6
8
V
11
V
DS
0
2
4
6
8
10
12
14
A
17
I
D
VGS [V]
a
a
4.0
b
b
4.5
c
c
5.0
d
d
5.5
e
e
6.0
f
f
6.5
g
g
7.0
h
h
7.5
i
i
8.0
j
j
9.0
k
k
10.0
l
l
20.0
Typ. drain-source-on-resistance
R
DS(on)
=
f
(
I
D
)
parameter:
V
GS
SPD07N20
0
2
4
6
8
A
12
I
D
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.3
R
D
V
GS
[V] =
a
4.0
a
b
b
4.5
c
c
5.0
d
d
5.5
e
e
6.0
f
f
6.5
g
i
g
7.0
h
j
h
7.5
i
8.0
j
9.0
k
k
10.0
l
l
20.0
Typ. transfer characteristics
I
D
=
f
(
V
GS
)
parameter:
t
p
= 80 μs
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
DS(on) max
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
10
V
GS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
A
13
I
D
Typ. forward transconductance
g
fs
= f
(
I
D
)
;
T
j
= 25C
parameter:
g
fs
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
A
21
I
D
0
1
2
3
4
S
6
g
f
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPU07N20 SIPMOS Power Transistor
SPD08N10 SIPMOS Power Transistor
SPU08N10 SIPMOS Power Transistor
SPD09N05 SIPMOS PowerTransistor
SPU09N05 SIPMOS PowerTransistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SPD07N20 G 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPD07N20_08 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS?? Power Transistor Features N channel Enhancement mode Avalanche rated
SPD07N20G 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:
SPD07N20GBTMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 7A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A TO252
SPD07N20GXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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