參數(shù)資料
型號(hào)： SPD04N80C3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Cool MOS⑩ Power Transistor
中文描述： 酷馬鞍山⑩功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 8/11頁(yè)
文件大?。?/td> 252K
代理商： SPD04N80C3
2003-07-02
Page 8
SPD04N80C3
Final data
13 Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
f
(
T
j
)
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
720
740
760
780
800
820
840
860
880
900
920
940
V
980
SPD04N80C3
V
(
14 Avalanche power losses
P
AR
=
f
(
f
)
parameter:
E
AR
=0.1mJ
10
4
10
5
10
6
Hz
f
0
10
20
30
40
50
60
70
80
W
100
P
A
15 Typ. capacitances
C
=
f
(
V
DS
)
parameter:
V
GS
=0V,
f
=1 MHz
0
100
200
300
400
500
600
V
800
V
DS
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
pF
C
C
iss
C
oss
C
rss
16 Typ.
C
oss
stored energy
E
oss
=
f
(
V
DS
)
0
150
300
450
600
V
825
V
DS
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
μJ
4.5
E
o
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