參數(shù)資料
型號： SPA04N80C3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Cool MOS⑩ Power Transistor
中文描述： 酷馬鞍山⑩功率晶體管
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 250K
代理商： SPA04N80C3
2003-07-02
Page 6
SPP04N80C3
SPA04N80C3
Final data
5 Transient thermal impedance
Z
thJC
=
f
(
t
p
)
parameter:
D
=
t
p
/
T
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-1
s
t
p
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
K/W
Z
t
D = 0.5
D = 0.2
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
single pulse
6 Transient thermal impedance FullPAK
Z
thJC
=
f
(
t
p
)
parameter:
D
=
t
p
/
t
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
1
s
t
p
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
K/W
Z
t
D = 0.5
D = 0.2
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
single pulse
7 Typ. output characteristic
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=25°C
parameter:
t
p
= 10 μs,
V
GS
0
4
8
12
16
20
V
V
DS
26
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
A
13
I
D
6.5V
6V
5.5V
5V
4V
20V
8V
7V
8 Typ. output characteristic
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=150°C
parameter:
t
p
= 10 μs,
V
GS
0
4
8
12
16
20
V
V
DS
26
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
A
6.5
I
D
5.5V
5V
4.5V
4V
20V
6.5V
6V
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