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參數(shù)資料
| 型號： | SN74AHC132DB |
| 廠商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | QUADRUPLE POSITIVE-NAND GATES WITH SCHMITT-TRIGGER INPUTS |
| 中文描述： | 翻兩番陽性的NAND與施密特蓋茨觸發(fā)輸入 |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 130K |
| 代理商： | SN74AHC132DB |
SN54AHC132, SN74AHC132
QUADRUPLE POSITIVE-NAND GATES
WITH SCHMITT-TRIGGER INPUTS
SCLS365G
–
MAY 1997
–
REVISED SEPTEMBER 2002
2
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
description/ordering information (continued)
Each circuit functions as a NAND gate, but because of the Schmitt action, it has different input threshold levels
for positive- and negative-going signals.
These circuits are temperature compensated and can be triggered from the slowest of input ramps and still give
clean jitter-free output signals.
FUNCTION TABLE
(each gate)
INPUTS
A
OUTPUT
Y
B
H
H
L
L
X
H
X
L
H
logic diagram, each gate (positive logic)
A
B
Y
absolute maximum ratings over operating free-air temperature range (unless otherwise noted)
Supply voltage range, V
CC
Input voltage range, V
I
(see Note 1)
Output voltage range, V
O
(see Note 1)
Input clamp current, I
IK
(V
I
< 0)
Output clamp current, I
OK
(V
O
< 0 or V
O
> V
CC
)
Continuous output current, I
O
(V
O
= 0 to V
CC
)
Continuous current through V
CC
or GND
Package thermal impedance,
θ
JA
(see Note 2): D package
–
0.5 V to 7 V
–
0.5 V to 7 V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(see Note 2): DB package
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(see Note 2): DGV package
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(see Note 2): N package
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(see Note 2): NS package
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(see Note 2): PW package
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(see Note 3): RGY package
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage temperature range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Stresses beyond those listed under
“
absolute maximum ratings
”
may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and
functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under
“
recommended operating conditions
”
is not
implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability.
NOTES:
1. The input and output voltage ratings may be exceeded if the input and output current ratings are observed.
2. The package thermal impedance is calculated in accordance with JESD 51-7.
3. The package thermal impedance is calculated in accordance with JESD 51-5.
–
0.5 V to V
CC
+ 0.5 V
–
20 mA
±
20 mA
±
25 mA
±
50 mA
86
°
C/W
96
°
C/W
127
°
C/W
80
°
C/W
76
°
C/W
113
°
C/W
47
°
C/W
–
65
°
C to 150
°
C
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