參數(shù)資料
型號： SMS12C
廠商： MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分類： TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述： 200 W, BIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
封裝： SOT-23, 6 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 183K
代理商： SMS12C
Microsemi
Scottsdale Division
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
Page 2
Copyright
2000
MSC1685.PDF 02-22 2000 REV B
WWW.
Microsemi
.COM
SMS03C thru SMS24C
4 LINE BIDIRECTIONAL TVSarray
PRODUCT PREVIEW
SCOTTSDALE DIVISION
SYMBOLS & DEFINITIONS
Symbol
DEFINITION
VWM
Rated stand off voltage: Maximum dc voltage that can be applied over the operating temperature range. Vwm
must be selected to be equal or be greater than the operating voltage of the line to be protected
VBR
Minimum Breakdown Voltage: The minimum voltage the device will exhibit at a specified current
VC
Clamping Voltage: Maximum clamping voltage across the TVS device when subjected to a given current at a
pulse time of 20
s.
ID
Standby Current: Leakage current at VWM.
C
Capacitance: Capacitance of the TVS as defined @ 0 volts at a frequency of 1 MHz and stated in Pico Farads.
GRAPHS
PACKAGING AND SCHEMA TIC
8/20s 200W Pulse
10
1
.01
0.001
GRAPHS
PACKAGE
DATA
.1
1
10
100
1000
FIGURE 1
Peak Pulse Power Vs Pulse Time t=sec
FIGURE 2
Pulse Wave Form
Ppp
Peak
Pulse
Power
(Kw)
DIMENSIONS MILLIMETERS
DIMENSIONS INCHES
DIM
MIN
NOM
MAX
MIN
NOM
MAX
A
2.70
2.90
3.10
.106
.114
.127
A1
0.00
0.10
.000
.004
A2
1.00
1.10
1.30
.039
.043
.051
B
0.35
0.40
0.50
.014
.016
.020
C
0.10
0.15
0.25
.004
.006
.010
D
1.50
1.60
1.80
.059
.063
.071
E
1.70
1.90
2.10
.067
.075
.083
F
2.60
2.80
3.00
.102
.110
.118
G
0.20
.008
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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SMS12T3 350 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
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SMS12 200 W, BIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
SMS1043-00 SILICON, LOW BARRIER SCHOTTKY, UHF-C BAND, MIXER DIODE
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參數(shù)描述
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