參數(shù)資料
型號： SMBTA56M
廠商： SIEMENS A G
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP Silicon AF Transistor
中文描述： 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 45K
代理商： SMBTA56M
SMBTA56M
Nov-30-2001
2
Electrical Characteristics
at
T
A
=25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
DC Characteristics
Collector-emitter breakdown voltage
I
C
= 1 mA,
I
B
= 0
Collector-base breakdown voltage
I
C
= 100 μA,
I
E
= 0
Emitter-base breakdown voltage
I
E
= 10 μA,
I
C
= 0
Collector cutoff current
V
CB
= 80 V,
I
E
= 0
Collector cutoff current
V
CB
= 80 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
Collector cutoff current
V
CE
= 60 V,
I
B
= 0
DC current gain 1)
I
C
= 10 mA,
V
CE
= 1 V
I
C
= 100 mA,
V
CE
= 1 V
Collector-emitter saturation voltage1)
I
C
= 100 mA,
I
B
= 10 mA
Base-emitter voltage 1)
I
C
= 100 mA,
V
CE
= 1 V
V
(BR)CEO
80
-
-
V
V
(BR)CBO
80
-
-
V
(BR)EBO
4
-
-
I
CBO
-
-
100
nA
I
CBO
-
-
20
μA
I
CEO
-
-
100
nA
h
FE
100
100
-
-
-
-
-
V
CEsat
-
-
0.25
V
V
BE(ON)
-
-
1.2
AC Characteristics
Transition frequency
I
C
= 20 mA,
V
CE
= 5 V,
f
= 100 MHz
Collector-base capacitance
V
CB
= 10 V,
f
= 1 MHz
-
150
-
f
T
MHz
-
5
-
pF
C
cb
1) Pulse test: t < 300 s; D < 2%
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