參數(shù)資料
型號： SMBTA14
廠商： SIEMENS A G
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN Silicon Darlington Transistors
中文描述： 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 123K
代理商： SMBTA14
SMBTA13/ MMBTA13, SMBTA14/ MMBTA14
2
Feb-18-2002
Electrical Characteristics
at
T
A
= 25°C, unless otherwise specified.
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
DC Characteristics
Collector-emitter breakdown voltage
I
C
= 10 μA,
V
BE
= 0
Collector-base breakdown voltage
I
C
= 10 μA,
I
E
= 0
Emitter-base breakdown voltage
I
E
= 10 μA,
I
C
= 0
Collector cutoff current
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0
Collector cutoff current
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
Emitter cutoff current
V
EB
= 10 V,
I
C
= 0
DC current gain 1)
I
C
= 10 mA,
V
CE
= 5 V
I
C
= 100 mA,
V
CE
= 5 V
V
(BR)CES
30
-
-
V
V
(BR)CBO
30
-
-
V
(BR)EBO
10
-
-
I
CBO
-
-
100
nA
I
CBO
-
-
10
μA
I
EBO
-
-
100
nA
SMBTA13
SMBTA14
SMBTA13
SMBTA14
h
FE
5000
10000
10000
20000
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Collector-emitter saturation voltage1)
I
C
= 100 mA,
I
B
= 0.1 mA
Base-emitter saturation voltage 1)
I
C
= 100 mA,
I
B
= 0.1 mA
V
CEsat
-
-
1.5
V
V
BEsat
-
-
2
AC Characteristics
Transition frequency
I
C
= 50 mA,
V
CE
= 5 V,
f
= 20 MHz
f
T
125
-
-
MHz
1) Pulse test: t
≤
300
μ
s, D = 2%
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