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參數(shù)資料
| 型號： | SMBTA06M |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN Silicon AF Transistor |
| 中文描述： | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 31K |
| 代理商： | SMBTA06M |
SMBTA 06M
Semiconductor Group
Jun-08-1998
2
Electrical Characteristics
at T
A
=25°C, unless otherwise specified
Parameter
Values
typ.
Symbol
Unit
min.
max.
DC Characteristics
Collector-emitter breakdown voltage
I
C
= 1 mA,
I
B
= 0
Collector-base breakdown voltage
I
C
= 100 μA,
I
B
= 0
Emitter-base breakdown voltage
I
E
= 10 μA,
I
C
= 0
Collector cutoff current
V
CB
= 80 V,
I
E
= 0
Collector cutoff current
V
CB
= 80 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
Collector cutoff current
V
CE
= 60 V,
I
B
= 0
DC current gain 1)
I
C
= 10 mA,
V
CE
= 1 V
I
C
= 100 mA,
V
CE
= 1 V
Collector-emitter saturation voltage1)
I
C
= 100 mA,
I
B
= 10 mA
Base-emitter voltage 1)
I
C
= 100 mA,
V
CE
= 1 V
V
-
V
(BR)CEO
-
80
V
(BR)CBO
-
-
80
V
(BR)EBO
4
-
-
V
I
CBO
-
-
100
nA
μA
I
CBO
-
20
-
-
nA
100
-
I
CEO
h
FE
100
100
-
-
-
-
-
V
-
0.25
-
V
CEsat
-
1.2
V
BE(ON)
-
V
AC Characteristics
Transition frequency
I
C
= 20 mA, V
CE
= 5 V, f= 100 MHz
Collector-base capacitance
V
CB
= 10 V, f= 1 MHz
-
100
-
f
T
MHz
-
5
-
pF
C
cb
1) Pulse test: t < 300
μ
s; D < 2%
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBTA06U | NPN Silicon AF Transistor Array |
| SMBTA06 | NPN Silicon AF Transistor |
| SMBTA06UPN | CONNECTOR ACCESSORY |
| SMBTA06 | NPN Silicon AF Transistors |
| SMBTA13 | NPN Silicon Darlington Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SMBTA06TR | 制造商:Surge Components Inc 功能描述: |
| SMBTA06U | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon AF Transistor Array |
| SMBTA06UPN | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN / PNP Silicon AF Transistor Array High breakdown voltage |
| SMBTA06UPN_07 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN / PNP Silicon AF Transistor Array High breakdown voltage |
| SMBTA06UPNE6327 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
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