參數(shù)資料
型號(hào)： SMBTA06
廠商： SIEMENS A G
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN Silicon AF Transistors
中文描述： 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 125K
代理商： SMBTA06
SMBTA06/ MMBTA06
Feb-20-2002
2
Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
DC Characteristics
Collector-emitter breakdown voltage
I
C
= 1 mA,
I
B
= 0
Collector-base breakdown voltage
I
C
= 100 μA,
I
E
= 0
Emitter-base breakdown voltage
I
E
= 10 μA,
I
C
= 0
Collector cutoff current
V
CB
= 80 V,
I
E
= 0
Collector cutoff current
V
CB
= 80 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
Collector cutoff current
V
CE
= 60 V,
I
B
= 0
DC current gain 1)
I
C
= 10 mA,
V
CE
= 1 V
I
C
= 100 mA,
V
CE
= 1 V
Collector-emitter saturation voltage1)
I
C
= 100 mA,
I
B
= 10 mA
Base-emitter voltage 1)
I
C
= 100 mA,
V
CE
= 1 V
AC Characteristics
Transition frequency
I
C
= 20 mA,
V
CE
= 5 V,
f
= 20 MHz
Collector-base capacitance
V
CB
= 10 V,
f
= 1 MHz
V
(BR)CEO
80
-
-
V
V
(BR)CBO
80
-
-
V
(BR)EBO
4
-
-
I
CBO
-
-
100
nA
I
CBO
-
-
20
μA
I
CEO
-
-
100
nA
h
FE
100
100
-
-
-
-
-
V
CEsat
-
-
0.25
V
V
BE(ON)
-
-
1.2
f
T
-
100
-
MHz
C
cb
-
12
-
pF
1) Pulse test: t
≤
300
μ
s, D = 2%
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