參數(shù)資料
型號： SMBT6428
廠商： SIEMENS A G
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN Silicon Transistors
中文描述： 200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 176K
代理商： SMBT6428
Semiconductor Group
2
SMBT 6428
SMBT 6429
Electrical Characteristics
at
T
A
= 25 C, unless otherwise specified.
Collector-emitter saturation voltage
1)
I
C
= 10 mA,
I
B
= 0.5 mA
I
C
= 100 mA,
I
B
= 5 mA
Base-emitter voltage
I
C
= 1 mA,
V
CE
= 5 V
V
Collector-emitter breakdown voltage
I
C
= 1 mA
SMBT 6428
SMBT 6429
V
(BR)CE0
50
45
–
–
–
–
Unit
Values
typ.
Parameter
Symbol
min.
max.
DC characteristics
Collector-base breakdown voltage
I
C
= 10
μ
A
SMBT 6428
SMBT 6429
V
(BR)CB0
60
55
6
–
–
–
–
–
–
Emitter-base breakdown voltage
I
E
= 1
μ
A
Collector-base cutoff current
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0,
T
A
= 150 C
Collector cutoff current
V
CE
= 30 V,
I
B
= 0
V
(BR)EB0
Emitter-base cutoff current
V
EB
= 5 V,
I
C
= 0
DC current gain
I
C
= 10
μ
A,
V
CE
= 5 V
I
EB0
–
–
10
nA
μ
A
nA
I
CB0
–
–
–
–
–
–
10
10
100
–
SMBT 6428
SMBT 6429
SMBT 6428
SMBT 6429
SMBT 6428
SMBT 6429
SMBT 6428
SMBT 6429
I
C
= 100
μ
A,
V
CE
= 5 V
I
C
= 1 mA,
V
CE
= 5 V
I
C
= 10 mA,
V
CE
= 5 V
h
FE
250
500
250
500
250
500
250
500
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
650
1250
–
–
–
–
V
V
CEsat
–
–
0.56
–
–
–
0.2
0.6
0.66
V
BE(on)
I
CE0
1)
Pulse test conditions:
t
≤
300
μ
s,
D
≤
2 %.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SMBT6429 NPN Silicon Transistors
SMBTA05 NPN Silicon AF Transistors
SMBTA06M NPN Silicon AF Transistor
SMBTA06U NPN Silicon AF Transistor Array
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參數(shù)描述
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