參數(shù)資料
型號(hào)： SMBT2907
廠商： SIEMENS A G
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP Silicon Switching Transistors
中文描述： 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大小： 178K
代理商： SMBT2907
Semiconductor Group
2
SMBT 2907
SMBT 2907 A
Electrical Characteristics
at
T
A
= 25 C, unless otherwise specified.
Base-emitter saturation voltage
1)
I
C
= 150 mA,
I
B
= 15 mA
I
C
= 500 mA,
I
B
= 50 mA
Collector-emitter saturation voltage
1)
I
C
= 150 mA,
I
B
= 15 mA
I
C
= 500 mA,
I
B
= 50 mA
V
Collector-emitter breakdown voltage
I
C
= 10 mA
SMBT 2907
SMBT 2907 A
V
(BR)CE0
40
60
–
–
–
–
Unit
Values
typ.
Parameter
Symbol
min.
max.
DC characteristics
Collector-base breakdown voltage
I
C
= 10
μ
A
SMBT 2907
SMBT 2907 A
V
(BR)CB0
60
60
5
–
–
–
–
–
–
Emitter-base breakdown voltage
I
E
= 10
μ
A
Collector cutoff current
V
CB
= 50 V
V
CB
= 50 V
V
CB
= 50 V,
T
A
= 150 C
V
CB
= 50 V,
T
A
= 150 C
V
(BR)EB0
nA
Emitter cutoff current
V
EB
= 3 V
I
EB0
–
–
10
nA
nA
μ
A
μ
A
SMBT 2907
SMBT 2907 A
SMBT 2907
SMBT 2907 A
I
CB0
–
–
–
–
–
–
–
–
20
10
20
10
–
DC current gain
1)
I
C
= 100
μ
A,
V
CE
= 10 V
SMBT 2907
SMBT 2907 A
SMBT 2907
SMBT 2907 A
SMBT 2907
SMBT 2907 A
SMBT 2907
SMBT 2907 A
SMBT 2907
SMBT 2907 A
I
C
= 1 mA,
V
CE
= 10 V
I
C
= 10 mA,
V
CE
= 10 V
1)
I
C
= 150 mA,
V
CE
= 10 V
1)
I
C
= 500 mA,
V
CE
= 10 V
1)
h
FE
35
75
50
100
75
100
100
100
30
50
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
300
300
–
–
V
V
CEsat
–
–
–
–
0.4
1.6
V
BEsat
–
–
–
–
1.3
2.6
1)
Pulse test conditions:
t
≤
300
μ
s,
D
= 2 %.
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PDF描述
SMBT2907A PNP Silicon Switching Transistors
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SMBT3904UPN NPN/PNP Silicon Switching Transistor Array
SMBT3904 NPN Silicon Switching Transistor
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