| 型號: | SMBJ7.5CAT1 |
| 元件分類: | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
| 英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 文件頁數: | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 41K |
| 代理商: | SMBJ7.5CAT1 |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBJ75T3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ78AT1 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ8.0AT1 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ8.0CT3 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ8.5AT3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SMBJ75CA-TP | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 75V 600 Watts RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ75C-E3/2C | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 75V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ75C-E3/51 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 75V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ75C-E3/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 75V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ75C-E3/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 75V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |