型號: | SMBJ60CA |
廠商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分類: | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封裝: | PLASTIC PACKAGE-2 |
文件頁數(shù): | 2/4頁 |
文件大?。?/td> | 182K |
代理商: | SMBJ60CA |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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SMBG45C | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG120ATR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG40TR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG7.0TR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBG8.0ATR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SMBJ60CA R4 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 60V 600W 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ60CA/1 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 60V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ60CA/2 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 60V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ60CA/2B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 60V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ60CA/5 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 60V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |