| 型號: | SMBJ58AT1 |
| 元件分類: | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
| 英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 文件頁數: | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 41K |
| 代理商: | SMBJ58AT1 |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBJ150T3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ8.0AT3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ11T3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ130T3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ24AT1 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SMBJ58A-TP | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 58V 600 Watts RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ58A-TR | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 58V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ58C | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 58Vr 600W 6.5A 10% BiDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ58C/2 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 58V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ58C/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 58V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |