| 型號: | SMBJ26 |
| 廠商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分類: | 參考電壓二極管 |
| 英文描述: | High Speed CMOS Logic 4-by-4 Register File 16-CDIP -55 to 125 |
| 中文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 封裝: | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù): | 1/3頁 |
| 文件大小: | 81K |
| 代理商: | SMBJ26 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBJ26A | High Speed CMOS Logic Dual Positive-Edge Trigger D Flip-Flops with Set and Reset 14-CDIP -55 to 125 |
| SMBJ28A | High Speed CMOS Logic Hex Inverting Schmitt Trigger 14-CDIP -55 to 125 |
| SMBJ54A | UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT |
| SMBJ120 | UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT |
| SMBJ150 | UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SMBJ26/1 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 26V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ26/2 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 26V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ26/5 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 26V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ26/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 26V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ26/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 26V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |