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參數(shù)資料
| 型號： | SMBJ18CA-TR |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | TRANSIL Diode(TRANSIL二極管) |
| 中文描述： | TRANSIL二極管（TRANSIL二極管） |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 82K |
| 代理商： | SMBJ18CA-TR |
SMBJ5.0A-TR,CA-TR
SMBJ188A-TR,CA-TR
TRANSIL
TM
PEAK PULSEPOWER : 600W (10/1000
μ
s)
STAND OFFVOLTAGERANGE :
From5V to 188V.
UNI ANDBIDIRECTIONALTYPES
LOW CLAMPINGFACTOR
FASTRESPONSETIME
JEDECREGISTEREDPACKAGEOUTLINE
FEATURES
SMB
(JEDECDO-214AA)
Symbol
P
PP
P
Parameter
Value
600
Unit
W
Peak pulsepower dissipation(seenote 1)
Tj initial= T
amb
T
amb
= 50
°
C
tp = 10ms
Tj initial= T
amb
Powerdissipationon infiniteheatsink
5
W
I
FSM
Non repetitivesurge peakforward
current forunidirectionaltypes
100
A
T
stg
T
j
Storagetemperaturerange
Maximumjunction temperature
- 65 to +175
150
°
C
°
C
°
C
T
L
Maximumlead temperaturefor solderingduring10 s.
260
Note 1
: Fora surge greater than the maximum values,the diode will fail in short-circuit.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
amb
= 25
°
C)
DESCRIPTION
TheSMBJ series areTRANSIL
TM
diodesdesigned
specifically for protecting sensitive equipment
againsttransientovervoltages.
Transildiodes provide high overvoltageprotection
by clamping action. Their instantaneousresponse
to transientovervoltagesmakesthem particularly
suited to protect voltage sensitive devices such
as MOS Technology and low voltage supplied
IC’s.
January 1998 Ed: 3
Symbol
Parameter
Value
Unit
°
C/W
°
C/W
R
th (j-l)
Junctionto leads
20
R
th (j-a)
Junctionto ambienton printedcircuit on recommendedpad
layout
100
THERMALRESISTANCES
1/6
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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